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產(chǎn)品中心

Product center

日本京都薄膜材料KTM用于光學(xué)薄膜形成的真空蒸發(fā)材料

發(fā)布時間:2020-08-14 點擊量:2329

我們的實驗室主要生產(chǎn)和銷售用于光學(xué)薄膜形成的真空蒸發(fā)材料。

我們提供各種材料來形成防反射膜,濾光片,透明導(dǎo)電膜,保護膜等。

該產(chǎn)品通過利用無機材料的粉末燒結(jié)技術(shù)來抑制氣相沉積過程中飛濺和廢氣的產(chǎn)生。

真空蒸鍍材料產(chǎn)品列表

■材料形狀
顆粒型φ5-90mm等,顆粒型0.5-1.5mm,1-3mm,長型,其他特殊形狀(拱形)

顆粒圖片顆粒圖片顆粒照片(脫氣型)顆粒照片(長型)拱門照片
顆粒顆粒顆粒(脫氣型)顆粒
(長型)

■氣相沉積法
電子束(EB),離子束,電阻加熱,激光燒蝕等。

沒有。產(chǎn)品名稱(氧化物)沒有。產(chǎn)品名稱(氧化物)
1個Al2O3(氧化鋁-氧化鋁)13SnO2(氧化錫)
2CeO2(氧化鈰)14Ta2O5(五氧化二鉭)
3Cr2O3(氧化鉻)15Ti3O5(五氧化鈦)
四個Fe2O3(氧化鐵)16TiO(一氧化鈦)
Ga2O3(氧化鎵)17TiO2(二氧化鈦-二氧化鈦)
6HfO2(氧化ha-氧化f)18歲WO3(氧化鎢)
7ITO(In2O3 + SnO2)19Y2O3(氧化釔-氧化釔)
8MgO(氧化鎂-氧化鎂) 20Yb2O3(氧化y)
9Nb2O5(五氧化二鈮)二十一ZnO(氧化鋅)
NiO(氧化鎳)二十二ZrO2(氧化鋯-氧化鋯)
11SiO(一氧化硅)二十三ZRT2(ZrO2 + TiO2)
12SiO2(氧化硅)  
沒有。產(chǎn)品名稱(氟化物)沒有。產(chǎn)品名稱(氟化物)
二十四AlF3(氟化鋁)31LiF(氟化鋰)
二十五BaF2(氟化鋇)32MgF2(氟化鎂)
26BaF2 + YF3(氟化鋇+氟化釔)33NaF(氟化鈉)
27CaF2(氟化鈣)34NdF3(氟化釹)
28CeF3(氟化鈰)35SmF3(氟化mar)
29GdF3(氟化ga)36YbF3(氟化tter)
30LaF3(氟化鑭)37YF3(氟化釔)
沒有。產(chǎn)品名稱(硫化物)沒有。產(chǎn)品名稱(硫化物)
38硫化鋅  
沒有。產(chǎn)品名稱(氮化物)沒有。產(chǎn)品名稱(氮化物)
39AlN(氮化鋁)41TiN(氮化鈦)
40Si3N4(氮化硅)  

1號膜 /材料特性
Al2O3(氧化鋁-氧化鋁)Al2O3(氧化鋁-氧化鋁)
膜特性
[折射率] 1.63(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.2至8μm 
[蒸發(fā)方法] EB
物性
[理論密度] 4.0g / cm 3
[熔點] 2046℃[沸點] 2980℃
[物質(zhì)]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):難溶

2號膜 /材料特性
CeO2(氧化鈰)CeO2(氧化鈰)
膜特性
[折射率] 2.2(550 nm附近)
[工作波長范圍] 0.4-16μm
[蒸發(fā)方法] EB,電阻加熱
物性
[理論密度] 7.3 g / cm 3
[熔點] 1950°C [沸點]-
[性能]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):
不溶于酸不溶于HCl,H 2溶于 SO 4和HNO 3

3號膜 /材料特性
Cr2O3(氧化鉻)Cr2O3(氧化鉻)
薄膜特性
[折射率] 2.24-i0.07(約700 nm)
[ 工作波長范圍] 1.2至10μm
[蒸發(fā)方法] EB
材料性能
[理論密度] 5.21 g / cm 3
[熔點] 2435°C [沸點] 4000°C
[材料]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):不溶

4號膜 /材料特性
Fe2O3(氧化鐵)Fe2O3(氧化鐵)
膜特性
[折射率] 3.0(
550nm 左右)[工作波長范圍]0.8??
[蒸發(fā)方法] EB,電阻加熱
物性
[理論密度] 5.24 g / cm 3
[熔點] 1,565°C [沸點]- 
[性能]○水溶性:不溶○耐化學(xué)藥品性:可溶于鹽酸和硫酸

5號膜 /材料特性
Ga2O3(氧化鎵)Ga2O3(氧化鎵)
膜特性
[折射率] 1.45(約550 nm)
[波長范圍]-
[蒸發(fā)方法] EB,電阻加熱
材料性能
[理論密度] 5.95 g / cm 3
[熔點] 1900°C [沸點]- 
[性能]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):不溶

6號膜 /材料特性
HfO2(氧化ha-氧化f)HfO2(氧化ha-氧化f)
膜特性
[折射率] 1.95(550 nm附近)
[工作波長范圍] 0.23至12μm
[蒸發(fā)方法] EB
材料性能
[理論密度] 9.68 g / cm 3
[熔點] 2810°C [沸點] 5400°C
[材料]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):不溶

7號膜 /材料特性
ITO(In2O3 + SnO2)顆粒ITO(In2O3 + SnO2)
膜特性
[折射率] 2.06-i0.016(近500 nm)
[ 工作波長范圍] 0.4至1μm
[蒸發(fā)方法] EB
材料特性
[產(chǎn)品密度]-
[熔點]-[沸點]-[ 材料
]
In2O3 = 可溶性(酸:無定形),不溶(水(酸:結(jié)晶))
三角體系:850℃(揮發(fā)性)
SnO2 =熔點:1630°C,沸點:180-1900°C(升華)
可溶性(KOH,NaOH),不溶(水,王水)

8號膜 /材料特性
MgO(氧化鎂-氧化鎂)MgO(氧化鎂-氧化鎂)
薄膜特性
[折射率] 1.74(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.23至9μm
[蒸發(fā)方法] EB
物性
[理論密度] 3.58 g / cm 3
[熔點] 2800°C [沸點] 3600°C 
[性能]○水溶性:-○耐化學(xué)性(酸,堿):可溶

9號膜 /材料特性
Nb2O5(五氧化二鈮)Nb2O5(五氧化二鈮)
膜特性
[折射率] 2.33(約500 nm)
[工作波長范圍] 0.32至8μm
[蒸發(fā)方法] EB
材料性能
[理論密度] 4.47 g / cm 3
[熔點] 1520°C [沸點]- 
[性能]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):氫fu酸,可溶于堿

10號膜 /材料特性
NiO(氧化鎳)NiO(氧化鎳)
膜特性
[折射率]-
[波長范圍]- 
[蒸發(fā)方法] EB
物性
[理論密度] 6.82 g / cm 3
[熔點] 1955°C [沸點]- 
[材料]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):溶于鹽酸

11號膜 /材料特性
SiO(一氧化硅)SiO(一氧化硅)
膜特性
[折射率] 1.9(
550nm 附近)[工作波長范圍] 0.55?8?
[蒸發(fā)方法] EB,電阻加熱
物性
[理論密度] 2.24 g / cm 3
[熔點] 1,700°C以下[沸點]- 
[性能]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性:可溶于鹽酸和硫酸

12號膜 /材料特性
SiO2(氧化硅)SiO2(氧化硅)
膜特性
[折射率] 1.46(近500 nm)
[ 工作波長范圍] 0.16-8μm 
[蒸發(fā)方法] EB
材料性能
[理論密度] 2.20 g / cm 3
[熔點] 1500°C [沸點] 2230°C [ 材料
]○水溶性:不溶,不溶于酸,堿

13號膜 /材料特性
SnO2(氧化錫)SnO2(氧化錫)
膜特性
[折射率] 2.0(550 nm附近)
[工作波長范圍] 0.4?1.5?
[蒸發(fā)方法] EB,電阻加熱
材料特性
[理論密度] 6.95 g / cm 3
[熔點] 1,565°C [沸點]- 
[性能]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性:可溶于鹽酸和硫酸

14號膜 /材料特性
Ta2O5(五氧化二鉭)Ta2O5(五氧化二鉭)
膜特性
[折射率] 2.16(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.35至10μm 
[蒸發(fā)方法] EB
材料性能
[理論密度] 8.73 g / cm 3
[熔點] 1468°C [沸點]-
[材料]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):氫fu酸,可溶于堿

15號膜 /材料特性
Ti3O5(五氧化鈦)Ti3O5(五氧化鈦)
膜特性
[折射率] 2.3至2.55(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.35至12μm 
[蒸發(fā)方法] EB
物性
[理論密度]-
[熔點]-[沸點]-
[性能]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):溶于稀硫酸/稀鹽酸

16號膜 /材料特性
TiO(一氧化鈦) TiO(一氧化鈦)
膜特性
[折射率] 2.3至2.55(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.35至12μm 
[蒸發(fā)方法] EB
材料性能
[理論密度] 4.93 g / cm 3
[熔點] 1750°C [沸點] 3000°C
[材料]○水溶性:-○耐化學(xué)性(酸,堿):可溶于稀硫酸/稀鹽酸

17號膜 /材料特性
TiO2(二氧化鈦-二氧化鈦)TiO2(二氧化鈦-二氧化鈦)
膜特性
[折射率] 2.3至2.55(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.35至12μm 
[蒸發(fā)方法] EB
材料性能
[理論密度] 4.26 g / cm 3
[熔點] 1850°C [沸點] 3000°C
[性能]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):可溶于硫酸和堿

18號膜 /材料特性
WO3(氧化鎢)WO3(氧化鎢)
膜特性
[折射率] 2.2(550 nm附近)
[工作波長范圍] 0.4μm?
[蒸發(fā)方法] EB,電阻加熱
物性
[理論密度] 7.15 g / cm 3
[熔點] 1473°C [沸點]-
[性質(zhì)]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):溶于堿性水溶液

19號膜 /材料特性
Y2O3(氧化釔-氧化釔) Y2O3(氧化釔-氧化釔)
膜特性
[折射率] 1.87(約550 nm)
[ 工作波長范圍] 0.25至2μm
[蒸發(fā)方法] EB
物性
[理論密度] 5.03 g / cm 3
[熔點] 2410℃[沸點] 4300℃
[性能]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):溶于酸,不溶于堿
20號膜 /材料特性
Yb2O3(氧化y)Yb2O3(氧化y)
膜特性
[折射率] 1.75(
550nm 附近)[工作波長范圍]0.28?? 
[蒸發(fā)方法] EB
材料特性
[理論密度] 9.2 g / cm 3
[熔點] 1,127°C [沸點] 1,850°C [ 材料
]○水溶性:不溶

21號膜 /材料特性
ZnO(氧化鋅)                ZnO(氧化鋅)    
膜特性
[折射率] 2.1(550 nm附近)
[工作波長范圍] 0.35至20μm 
[蒸發(fā)方法] EB
物性
[理論密度] 5.47 g / cm 3
[熔點] 1975°C [沸點]-
[性能]○水溶性:微溶性○耐化學(xué)性(酸,堿):可溶 

 

22號膜 /材料特性
ZrO2(氧化鋯-氧化鋯) ZrO2(氧化鋯-氧化鋯)
膜特性
[折射率] 2.05(約550 nm)
[ 工作波長范圍] 0.3至8μm
[蒸發(fā)方法] EB
物性
[理論密度] 5.56g / cm 3
[熔點] 2677℃[沸點] 4548℃ 
[性質(zhì)]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):可溶于硫酸,氫fu酸

23號膜 /材料特性
ZRT2(ZrO2 + TiO2)ZRT2(ZrO2 + TiO2)
膜特性
[折射率] 2.10(550 nm附近)
[工作波長范圍] 0.3到7μm
[蒸發(fā)方法] EB
材料特性
[理論密度]-
[熔點]-[沸點]-[ 材料
]-

24號膜 /材料特性
AlF3(氟化鋁) AlF3(氟化鋁)
膜特性
[折射率] 1.38(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.22至12μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱,EB
材料特性
[理論密度] 2.88 g / cm 3
[熔點] 1040°C [沸點] 1260°C(升華)
材料 ]○水溶性:可溶

25號膜 /材料特性
BaF2(氟化鋇)BaF2(氟化鋇)
膜特性
[折射率] 1.48(約
550nm )[工作波長范圍] 0.25?15E 
[蒸發(fā)方法]電阻加熱,EB
材料特性
[理論密度] 4.87g / cm 3(20℃)
[熔點] 1,287℃[沸點] 1,287℃[ 材料
]○水溶性:0.16g / 100g 20℃

26號膜 /材料特性
BaF2 + YF3(氟化鋇+氟化釔)BaF2 + YF3(氟化鋇+氟化釔)
薄膜特性
[折射率]-
[波長范圍]- 
[蒸發(fā)方法]電阻加熱,EB
材料特性
[理論密度]- 
[熔點]-[沸點]- 
[性質(zhì)]- 

27號膜 /材料特性
CaF2(氟化鈣) CaF2(氟化鈣)
膜特性
[折射率] 1.23至1.45(550 nm附近)
[工作波長范圍] 0.15至12μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱
材料特性
[理論密度] 3.18 g / cm 3
[熔點] 1418°C [沸點] 2500°C
[材料]○水溶性:水18°C 0.0016g / 100g,微溶(稀無機酸),不溶:乙酸

28號膜 /材料特性
CeF3(氟化鈰) CeF3(氟化鈰)
薄膜特性
[折射率] 1.63(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.3至12μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱,電子束
材料性能
[理論密度] 5.8 g / cm 3
[熔點] 1324°C [沸點] 1360°C
[材料]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):不溶于酸

29號膜 /材料特性
GdF3(氟化ga)GdF3(氟化ga)
膜特性
[折射率] 1.59(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.28μm?
[蒸發(fā)方法]電阻加熱
材料特性
[理論密度]-
[熔點] 1231℃[沸點] 2277℃
材料 ]不溶(水)

30號膜 /材料特性
LaF3(氟化鑭)LaF3(氟化鑭)
薄膜特性
[折射率] 1.59(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.22至14μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱,EB
材料性能
[理論密度] 5.9 g / cm 3
[熔點] 1490°C [沸點] 2300°C
[材料]○水溶性:不溶○耐化學(xué)性(酸,堿):不溶于酸

31號膜 /材料特性
LiF(氟化鋰)LiF(氟化鋰)
膜特性
[折射率] 1.3(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.11至8μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱
物性
[理論密度] 2.64 g / cm 3
[熔點] 842°C [沸點] 1680°C [ 材料
]○水溶性:微溶可溶性:氫fu酸

32號膜 /材料特性
MgF2(氟化鎂)MgF2(氟化鎂)
膜特性
[折射率] 1.38至1.4(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.13至10μm
[蒸發(fā)方法] EB,電阻加熱
材料性能
[理論密度] 3.2 g / cm 3
[熔點] 1248°C [沸點] 2260°C
[材料]○水溶性:微溶和可溶(NHO3)

33號膜 /材料特性
NaF(氟化鈉)NaF(氟化鈉)
膜特性
[折射率] 1.34(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.13至15μm 
[蒸發(fā)方法]電阻加熱
材料特性
[理論密度] 2.78 g / cm 3
[熔點] 988°C [沸點] 1704°C [ 材料
]可溶性(水,氫fu酸)

34號膜 /材料特性
NdF3(氟化釹)                    NdF3(氟化釹)       
膜特性
[折射率] 1.61(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.17至12μm 
[蒸發(fā)方法] EB,電阻加熱
材料特性
[理論密度] 6.5 g / cm 3
[熔點] 1374°C [沸點] 2327°C [ 材料
]-

35號膜 /材料特性
SmF3(氟化mar)SmF3(氟化mar)
膜特性
[折射率]-
[使用的波長范圍]-
[蒸發(fā)方法] EB,電阻加熱
材料性能
[理論密度] 6.5 g / cm 3
[熔點] 1306°C。[沸點] 2427°C。
[自然]可溶性(硫酸鹽),不溶(水)

36號膜 /材料特性
YbF3(氟化tter)YbF3(氟化tter)
膜特性
[折射率] 1.5(550 nm附近)
[工作波長范圍] 0.22-12μm
[蒸發(fā)方法] EB,電阻加熱
材料特性
[理論密度] 8.2g / cm 3
[熔點] 1157℃[沸點] 2230℃
材料 ]-  

37號膜 /材料特性
YF3(氟化釔)YF3(氟化釔)
膜特性
[折射率] 1.5(550 nm附近)
[工作波長范圍] 0.2-14μm 
[蒸發(fā)方法] EB,電阻加熱
材料性能
[理論密度] 5.07 g / cm 3
[熔點] 1152°C [沸點] 2230°C [ 材料
]不溶(水),分解(濃酸)

38號膜 /材料特性
硫化鋅硫化鋅
膜特性
[折射率] 2.35(約550 nm)
[工作波長范圍] 0.38?1.4? 
[蒸發(fā)方法]電阻加熱,EB
物性
[理論密度] 4.06 g / cm 3
[熔點] 1,850℃[沸點]-
材料 ]○水溶性:不溶 

39號膜 /材料特性
AlN(氮化鋁)AlN(氮化鋁)
膜特性
[折射率] 1.9-2.2(630 nm附近)
[工作波長范圍]0.3??IR
[蒸發(fā)方法] EB
材料性能
[理論密度] 3.25 g / cm 3
[熔點] 3,000°C [沸點]-
材料 ]○水溶性:與水反應(yīng)(生成氨)

40號膜 /材料特性
Si3N4(氮化硅)Si3N4(氮化硅)
膜特性
[折射率] 1.72(約1,500?)
[ 工作波長范圍]0.25-9? 
[蒸發(fā)方法] EB
材料特性
[理論密度] 3.18 g / cm 3
[熔點]-[沸點]-[ 材料
]○水溶性:不溶 

41號膜 /材料特性
TiN(氮化鈦)TiN(氮化鈦)
膜特性
[折射率] 1.39-i2.84(650 nm附近)
[ 工作波長范圍]- 
[蒸發(fā)方法] EB
物性
[理論密度] 5.44 g / cm 3
[熔點] 2,980°C。[沸點]以上
[性質(zhì)]○可溶:不溶 
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